拓荆科技申请背面沉积有非晶相碳膜的晶圆及其制备方法和应用专利，增加传统晶圆背面沉积薄膜的可选择性

专利摘要显示，本发明属于半导体领域，具体地涉及一种背面沉积有非晶相碳膜的晶圆及其制备方法和 应用。本发明晶圆的背面沉积有非晶相碳膜。本发明可增加传统晶圆背面沉积薄膜的可选择性。SiN、 SiO及非晶相碳膜相比，相同膜厚条件下，非晶相碳膜应力和翘曲与SiN相近，可实现对翘曲较大的工 艺片或结构片的应力中和(随着膜厚的累积和工艺温度的提升，可满足更高应力和翘曲的需求)。非晶相 碳膜在高温下具有较好粘附力，可实现以上厚度的薄膜沉积。晶圆背面沉积的SiN、SiO薄膜需要通过 (磷酸或氢氟酸)湿法去除，而非晶相碳膜可通过与等离子体激发下氧离子反应原位去除，副产物主要为 二氧化碳。 天眼查资料显示，拓荆科技（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事科技推广和 应用服务业为主的企业。企业注册资本135253.79万人民币，实缴资本95253.78万人民币。通过天眼查大 数据分析，拓荆科技（上海）有限公司参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息 243条，此外企业还拥有行政许可11个。 金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，拓荆科技（上海）有限公司申请一项名为"背面 沉积 ...