合肥晶合集成电路申请一种半导体结构的制作方法专利，提升开关速度

来源：金融界 专利摘要显示，本发明提供了一种半导体结构的制作方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，在形 成第二导电层前，先对基底进行离子注入工艺，以在深沟槽下方的基底内形成第一离子注入区，且同步 在深沟槽两侧的基底内形成第二离子注入区，节省了一道离子注入制程工艺，以及利用第一离子注入区 （位于控制栅和漏极之间）与基底的导电类型相反，载流子可相互耗尽，达到增大耗尽区和击穿电压的 目的；随后又在深沟槽内形成沉积第二导电层，并结合位于深沟槽侧壁上的第一导电层，形成特殊形状 的控制栅，从而实现减小控制栅和漏极之间的交叠面积，减小功率半导体器件的栅漏电容、降低开关损 耗，并最终提升开关速度的目的。 天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算 机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币，实缴资本 152959.1001万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了7家企 业，参与招投标项目620次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1068条，此外企业还拥有行政许 可16个。 金融界2025年3月29 ...