芯联集成电路制造股份有限公司 对外投资管理制度 芯联集成电路制造股份有限公司 对外投资管理制度 第一章 总 则 第一条 为维护芯联集成电路制造股份有限公司（以下简称"公司"）股东 和投资者的利益，规范公司对外投资行为，明确公司对外投资决策的批准权限与 程序，强化公司内部控制，防范对外投资风险，保证对外投资的安全，提高对外 投资的效益，根据《中华人民共和国公司法》《中华人民共和国证券法》（以下 简称"《证券法》"）《上海证券交易所科创板股票上市规则》（以下简称"《股 票上市规则》"）等法律、行政法规、规章和规范性文件（以下简称"法律法规"） 及《芯联集成电路制造股份有限公司章程》（以下简称"《公司章程》"）的相 关规定，并结合公司的实际情况，特制定本制度。 第二条 本制度所称对外投资管理是指针对对外投资项目的信息收集、尽职 调查、编制对外投资建议书及项目可行性研究报告、项目立项、项目审批、项目 实施以及投资后的相关管理。 第三条 本制度适用于公司合并报表内的分子公司所有对外投资业务。 第二章 对外投资的基本原则 第四条 公司对外投资应当遵循合法、审慎、安全、有效的原则，严格控制 投资风险、注重投资效益。 第五条 ...

芯联集成电路制造股份有限公司 董事和高级管理人员薪酬管理制度 （二）贡献与薪酬相对应原则：按工作岗位、工作绩效、贡献大小及"权、 责、利"相结合的因素确定薪酬； （三）短期与长期激励相结合的原则； （四）激励与约束相结合的原则：董事、高级管理人员薪酬与个人岗位职责 目标完成情况挂钩，与工作创新、提高公司综合实力相关。 芯联集成电路制造股份有限公司 董事和高级管理人员薪酬管理制度 第一章 总则 第一条 为进一步完善芯联集成电路制造股份有限公司（以下简称"公司"） 董事和高级管理人员的薪酬管理体系，建立科学有效、权责匹配的激励与约束机 制，充分调动董事、高级管理人员的积极性和创造性，确保公司发展战略目标的 实现，根据《中华人民共和国公司法》（以下简称"《公司法》"）《中华人民 共和国证券法》及《芯联集成电路制造股份有限公司章程》（以下简称"《公司 章程》"）的相关规定，结合公司实际情况，制订本制度。 第二条 本制度适用于公司全体董事和高级管理人员。 第三条 公司董事和高级管理人员的薪酬应结合公司经营情况、考核体系等 实际情况并参照行业薪酬水平，与市场价值规律相符，与公司长远发展和股东利 益相结合，保障公司的长期稳 ...

芯联集成电路制造股份有限公司 防范控股股东及其关联方资金占用管理制度 芯联集成电路制造股份有限公司 防范控股股东及其关联方资金占用管理制度 第一章 总则 第一条 为建立防范芯联集成电路制造股份有限公司（以下简称"公司"）的控 股股东、实际控制人及其关联方违规占用公司资金的长效机制，杜绝控股股东、实际 控制人及其关联方资金占用行为的发生，进一步加强和规范公司的资金管理和维护公 司全体股东和债权人的合法权益，根据《中华人民共和国公司法》（以下简称"《公 司法》"）《中华人民共和国证券法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》《上市公 司监管指引第 8 号——上市公司资金往来、对外担保的监管要求》等法律、法规、规 范性文件及《芯联集成电路制造股份有限公司章程》（以下简称"《公司章程》"）的 有关规定，结合公司的实际情况，制定本制度。 第二条 本制度适用于公司控股股东、实际控制人（如有，下同）及其关联方与 公司之间的资金管理。公司控股股东、实际控制人及其关联方与纳入公司合并会计报 表范围的子公司之间的资金往来适用本制度。 第三条 本制度所称"关联方"，是指根据相关法律、法规和《上海证券交易所 科创板股票上市规则》所界定 ...

芯联集成电路制造股份有限公司 信息披露管理制度 第二条 公司和相关信息披露义务人应当及时依法履行信息披露义务，披露的信 息应当真实、准确、完整，简明清晰，通俗易懂，不得有虚假记载、误导性陈述或者 重大遗漏。信息披露义务人披露的信息应当同时向所有投资者披露，不得提前向任何 单位和个人泄露。但是，法律、行政法规另有规定的除外。 本制度所称"信息披露义务人"是指上市公司及其董事、高级管理人员、股东、 实际控制人，收购人，重大资产重组、再融资、重大交易有关各方等自然人、单位及 其相关人员，破产管理人及其成员，以及法律、行政法规和中国证券监督管理委员会 （以下简称"中国证监会"）规定的其他承担信息披露义务的主体。 本制度所称"信息"是指所有可能对上市公司股票交易价格产生较大影响或者对 投资决策有较大影响的事项。 第三条 发生可能对公司证券及其衍生品种交易价格产生较大影响的重大事件， 投资者尚未得知时，公司应当立即将有关该重大事件的情况向中国证监会和上海证券 交易所（以下简称"上交所"）报送临时报告，并予公告，说明事件的起因、目前的 状态和可能产生的影响。 重大事件包括： （一）《证券法》第八十条第二款规定的重大事件； ...

证券代码：688469 证券简称：芯联集成 公告编号：2025-061 芯联集成电路制造股份有限公司 关于取消监事会、变更注册资本、修订《公司章程》并授权办理 工商变更登记、修订并制定部分公司治理制度的公告 本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈 述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。 芯联集成电路制造股份有限公司（以下简称"公司"）于2025年12月5日召开了第 二届董事会第十一次会议，审议通过了《关于取消监事会、变更注册资本、修订<公 司章程>并授权办理工商变更登记的议案》和《关于修订、制定部分公司治理制度的 议案》。现将具体情况公告如下： 一、取消监事会的情况 根据《中华人民共和国公司法》（以下简称"《公司法》"）和《上市公司章程 指引》等有关法律法规的规定，结合公司实际情况，公司将不再设置监事会和监事， 监事会的职权由董事会审计委员会行使。公司《监事会议事规则》等与监事或监事会 有关的公司治理制度将在经股东大会批准修订的《芯联集成电路制造股份有限公司章 程》（以下简称"《公司章程》"）生效之日起同步废止。 二、公司注册资本变更的相关情况 2025 ...

芯联集成电路制造股份有限公司 2025 年第三次临时股东大会会议资料 证券代码：688469 证券简称：芯联集成 芯联集成电路制造股份有限公司 2025 年第三次临时股东大会 会议资料 2025 年 12 月 芯联集成电路制造股份有限公司 2025 年第三次临时股东大会会议资料 | | | | 2025 | 年第三次临时股东大会会议须知 1 | | --- | --- | | 2025 | 年第三次临时股东大会会议议程 3 | | 2025 | 年第三次临时股东大会会议议案 5 | | | 议案一：关于取消监事会、变更注册资本、修订《公司章程》 | | | 并授权办理工商变更登记的议案 5 | | | 议案二：关于修订、制定部分公司治理制度的议案 7 | | 附件 | 1：芯联集成电路制造股份有限公司章程修订对照表.. 8 | 芯联集成电路制造股份有限公司 2025 年第三次临时股东大会会议资料 芯联集成电路制造股份有限公司 2025 年第三次临时股东大会会议须知 为维护广大投资者的合法权益，保障股东在本次股东大会期间依法行使权利， 根据《公司法》、中国证监会《上市公司股东大会规则》和公司《股东大会议事 规则 ...

证券代码：688469 证券简称：芯联集成 公告编号：2025-063 本公司董事会及全体董事保证公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或 者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。 重要内容提示： 一、 召开会议的基本情况 （一） 股东大会类型和届次 2025年第三次临时股东大会 （二） 股东大会召集人：董事会 （三） 投票方式：本次股东大会所采用的表决方式是现场投票和网络投票相结 合的方式 （四） 现场会议召开的日期、时间和地点 芯联集成电路制造股份有限公司 关于召开2025年第三次临时股东大会的通知 召开日期时间：2025 年 12 月 24 日 14 点 00 分 召开地点：浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路 518 号芯联集成电路制造 股份有限公司会议室 （五） 网络投票的系统、起止日期和投票时间。 网络投票系统：上海证券交易所股东大会网络投票系统 网络投票起止时间：自2025 年 12 月 24 日 至2025 年 12 月 24 日 股东大会召开日期：2025年12月24日 本次股东大会采用的网络投票系统：上海证券交易所股东大会网络投票 系统 采用上海证券交易所网络投票系统， ...

证券代码：688469 证券简称：芯联集成 公告编号：2025-062 芯联集成电路制造股份有限公司 第二届监事会第九次会议决议公告 本公司监事会及全体监事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述 或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。 一、 监事会会议召开情况 芯联集成电路制造股份有限公司第二届监事会第九次会议于 2025 年 12 月 5 日以现场结合通讯的方式召开。会议通知于 2025 年 11 月 28 日向全体监事发出。 会议应出席监事 5 人，实际出席监事 5 人，会议由监事会主席王永先生主持。会 议的召集和召开符合《中华人民共和国公司法》（以下简称"《公司法》"）等 法律法规和《公司章程》的有关规定。 二、监事会会议审议情况 履职。 公司第一期股票期权激励计划第二个行权期新增股份在中国证券登 记结算有限责任公司上海分公司完成登记，共 22,444,200 股，公司总股 本由 7,046,641,000 股变更为 7,069,085,200 股。 根据中国证券监督管理委员会出具的《关于同意芯联集成电路制造 股份有限公司发行股份购买资产注册的批复》（证监许可〔2025 ...

Core Insights - The report by Jinyuan Securities highlights the significant energy consumption associated with training advanced AI models, particularly GPT-4, which requires approximately 38.2 GWh over a training period of 95 days [1][2]. Group 1: AI Model Training Energy Consumption - The maximum rated power consumption of a single GPU can reach 1000 watts [2]. - GPT-4's training energy demand translates to an average daily consumption of about 0.40 GWh, equivalent to the daily electricity usage of approximately 40,000 households [1][2]. Group 2: Data Center Energy Consumption Trends - Global data center electricity consumption is projected to reach 415 TWh in 2024, accounting for about 1.5% of the world's total electricity consumption, with the US, Europe, and China collectively responsible for 85% of this total [2]. - In the US, data center electricity consumption is expected to grow at an annual rate of approximately 12% from 2015 to 2024, resulting in an increase of about 250 TWh, with 2024 consumption estimated at 180 TWh [2]. Group 3: Future Projections - By 2030, global data center electricity consumption is forecasted to double to approximately 945 TWh, representing nearly 3% of global electricity consumption, with the US market projected to consume about 420 TWh, a 130% increase from 2024 [2]. Group 4: Power Infrastructure Challenges - The mismatch between the manufacturing cycle of power infrastructure and the demand cycle for AI presents significant challenges [3]. - Solar energy and gas turbines are currently the only reliable power sources that can be developed in a short timeframe to meet data center demands, but solar energy's intermittent nature poses challenges for continuous operation [3]. Group 5: Energy Storage Systems - A complete electrochemical energy storage system consists of battery packs, battery management systems (BMS), energy management systems (EMS), and storage inverters, collectively referred to as "3S" [4]. - The global inverter market is projected to reach approximately $129.2 billion in 2024, with the battery energy storage system (BESS) market expected to grow at a compound annual growth rate of 18.5% from 2024 to 2030, reaching $23.3 billion by 2030 [4]. Group 6: Power Device Market Insights - The IGBT and silicon-based MOSFET markets are significant, with the IGBT market projected to grow from approximately $8.887 billion in 2024 to $16.151 billion by 2030, reflecting a compound annual growth rate of 10.47% [5]. - The market for silicon carbide (SiC) devices is also expected to grow significantly, with a combined market size projected to increase from $2.967 billion in 2024 to $9.520 billion by 2030, at a compound annual growth rate of 21.45% [5]. Group 7: Related Companies - Companies involved in this sector include SDIC (603290.SH), Yangjie Technology (300373.SZ), ChipLink Integration-U (688469.SH), Silan Microelectronics (600460.SH), and Dongwei Semiconductor (688261.SH) [6].

Core Viewpoint - The company has confirmed its collaboration with NIO on SiC (Silicon Carbide) modules, indicating ongoing advancements in their SiC product line and a growing customer base in this sector [2]. Group 1: Company Developments - The latest generation of the company's SiC MOSFET has achieved globally leading performance [2]. - The company has over 10 mass production customers for its SiC products, with approximately 40 additional customers in the process of being onboarded [2]. - Specific customer information is considered a trade secret and cannot be disclosed [2].